关于AT-400原子层沉积的相关内容介绍

　　AT-400原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原了层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层淀积（ALD）是超越CVD的技术，它是当需要准确控制沉积厚度、台阶覆盖和保形性时应选用的新技术。在ALD进行薄膜生长时，将适当的前驱反应气体以脉冲方式通入反应器中，随后再通入惰性气体进行清洗，对随后的每一沉积层都重复这样的程序。

 

　　ALD沉积的关键要素是它在沉积过程中具有白限制特性，能在非常宽的1.艺窗口中一个单层、一个单层地重复生长，所生长的薄膜没有针孔、均匀、且对薄膜图形的保形性好。原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应，形成沉积膜的一种方法。当前躯体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。

 

　　在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。气相物质在基体材料的表面吸附特征可以看出，任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。

 

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