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NIE-4000IBE离子束刻蚀系统:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。 NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内。
NIE-3500(R)RIBE反应离子束刻蚀:可以用于光栅刻蚀,SiO2二氧化硅、Si 硅以及金属等的深槽刻蚀。此外,还可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。系统可以兼容反应气体以及非反应气体,比如Ar,O2,CF4,Cl2等。
NIE-3500(M)IBE离子束刻蚀:是一款手动放片/取片,但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。
NIE-3500(A)全自动IBE离子束刻蚀:是一款自动放片/取片,并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。
NIE-3000IBE离子束刻蚀:是一款手动放片/取片,但工艺过程为全自动计算机控制的台式离子束刻蚀系统,可以用于表面清洗、表面处理、离子铣等。