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  • NRE-4000(ICPA)全自动ICP刻蚀系统
    NRE-4000(ICPA)全自动ICP刻蚀系统

    NRE-4000(ICPA)全自动ICP刻蚀系统:自动上下载片,带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

    更新时间:2017-03-03型号:浏览量:915
  • NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀
    NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀

    NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀:是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

    更新时间:2017-03-03型号:浏览量:1205
  • NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀
    NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀

    NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀:全自动上下载片,带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

    更新时间:2017-03-03型号:浏览量:771
  • NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统
    NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统

    NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统:是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

    更新时间:2017-03-03型号:浏览量:797
  • NIE-4000IBE离子束刻蚀系统
    NIE-4000IBE离子束刻蚀系统

    NIE-4000IBE离子束刻蚀系统:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。 NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内。

    更新时间:2017-03-03型号:浏览量:936
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