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NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统的详细资料

ICP等离子刻蚀

NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统概述:是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀系统主要特点:

  • 基于PC控制的立柜式百级ICP-RIE刻蚀系统,拥有快速的刻蚀能力;
  • 配套Lab View软件,菜单驱动,自动记录数据;
  • 触摸屏监控;
  • 全自动系统,带安全联锁;
  • 四级权限,带密码保护;
  • 手动上下载片;
  • 可以支持ICP和RIE两种刻蚀模式;
  • 实时显示真空、功率、反射功率图表,以及流量实时显示;

配置内容:

  • 外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44"(W) x 26"(L) x62"(H);
  • 等离子源:NM-ICP平面电感耦合等离子体源,带有自动调谐器,激活面积可以达到8"
  • 处理腔体:13"的圆柱形超净腔体,材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载,腔体带有上载安全锁,用户可以通过PC控制,zui多可以装载8个小尺寸基片,zui大可支持的晶圆尺寸为8"。腔体带有2"的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置,提供8"区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。
  • 样品台:6"的托盘夹具,能够支持6"的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;
  • 流量控制:支持6个或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蚀,带气动截止阀,所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制,电抛光的不锈钢气体管路带有VCRVCO(压控振荡器)配件,所有导管以尽可能短的导轨密封设计,从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后,采用N2自动冲洗
  • 真空系统:泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。
  • RF电源:13.56MHz,带自动调谐功能的1200W射频电源,作为ICP源。另外,带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。
  • 操作控制:整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统,实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的,都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示,而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。

应用领域:

  • LED
  • MEMS
  • 光栅
  • 激光器
  • 微光学
  • 声光器件
  • 高频器件/功率器件
  • 量子器件
  • 光子晶体
  • 探测器等

 

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