湿法刻蚀系统的工艺主要包括三部分

　　湿法刻蚀系统工艺主要包括三部分：硫酸、硝酸、氢氟酸氢氧化钾氢氟酸本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应生成络合物六氟硅酸，从而达到刻蚀的目的。刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，用压缩空气将硅片表面吹干。
 

　　湿法刻蚀系统主要控制点：
 

　　1、腐蚀深度控制在1.2±0.2之间。
 

　　2、刻蚀宽度D≤1，每片测量四点，测量点在每边的中间点，20点(5道)或32点(8道)的平均值。
 

　　3、绝缘电阻≥1。以上三个参数在正常生产时至少每隔1小时测量一次。当更换药液和停产一段时间再生产时及参数不正常时，要求增加测量次数。
 

　　4、腐蚀槽循环流量要求设定在30~35之间。循环流量过小会导致腐蚀量不够，甚至硅片边缘不能*去除；循环量过大会导致过腐蚀现象和硅片边缘刻蚀宽度出现阴影严重引起表面不合格。
 

　　5、腐蚀槽温度保证在7士1℃，随着温度的升高，腐蚀速率会加快，但会使药液密度减小，以致发生过腐蚀现象。所以在温度未降到工艺控制范围内时禁止生产。
 

　　6、碱洗槽温度要求≤23℃。当发现碱洗槽温度超过控制范围时，及时通知相关负责人进行检查调整。
 

　　7、碱洗槽喷淋量要求，且首先保证下喷淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蚀充分。
 

　　8、压缩空气风干Dryer处风刀频率及流量的控制太小，易造成硅片不能*风干；过大易产生碎片。以硅片上下表面能够被*风干为前提。建议风刀频率为：80%~85%；压缩空气流量：(8道)≥20立方米每小时。