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微波等离子去胶机操作简单具有无须干燥处理的特点

2021-08-13

  微波等离子去胶机具有操作简单、效过好、无损伤、无划痕、无残留物、表面干净光沾、无须干燥处理的特点。能够去除较难处理的SU-8光刻胶或经列体面改性的长部能工作气体可以采用氧气和氢气的混合物。利用象您气体与5一8光到胶的化学反应能够快速将其去除。此外,常压射频介质阻挡辉光放电等蒸发的工艺,都是去除光刻胶或进行掩模基片表面干法清洗的常用方法。该去胶装置由去离子水储罐、CO,储气罐、混合罐、对混合溶液加热的热交换器,以及用于对掩模基片或圆片去胶的反应腔体组成。
  光刻胶去除是半导体生产工艺中的一一个重要环节。在掩模版制造过程或集成电体有院中、 以及在电子来曝光紫外路光等微纳米加工工艺中,光刻战路越图形转移的黄介作用,因此在完成图形转移后,需要将北刻胶完全去除以避免残留的光刺胶影响后续工艺的质量。
  光刻胶去除方法可以分为两种,一种是湿法去胶,主要采用碱性溶液去除常规正性光刻胶,而负性光刻胶主要采用有机化学溶剂(如丙酮等)去除,但为了将光刻胶彻底去除干净,通常还需要采用氧等离子清除底膜:另-种是干法去胶,主要采用等离子去胶机(Plasma Resist Stipper),利用气态的等离子体使光刻胶氧化成挥发性气体,随时被真空泵吸除。
  微波等离子去胶机是普遍的去胶方法,其原理是在1500V高压的真空反应腔中,由高频信号发生器产生的强电磁场使通人的氧气发生电离,形成由氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合的等离子体辉光放电区,其中的原子态氧与光刻胶中的C及日产生化学反应,生成co和CO2气体以及水汽,并被真空泵抽走。

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