微波等离子去胶机的去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后，都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净*、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。微波等离子去胶机工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。占地面积小，安装维护简单。依靠微波等离子体技术，该设备在提供*的光刻胶灰化速度的同时，较大程度较低了产品暴露在静电中风险。
微波等离子去胶机的真空腔采用石英管结构，适于对基片进行去胶、清洗等工艺。该设备具有去胶工艺简单、可靠、*、速率快、成品率高、处理后无酸气废水等残留等特点。微波等离子去胶机采用国内优射频源，其电磁兼容性能优良、高频辐射小，符合国家环保规定。本机外形美观大方，操作简便。
微波等离子去胶机产品用途：
1.高剂量离子注入光刻胶的去除
2.湿法或干法刻蚀前后的去残胶
3.MEMS中牺牲层的去除
4.去除化学残余物
5.清除浮渣工艺
微波等离子去胶机操作方法：
将待去胶片插入石英舟并平行气流方向，推入真空室两电极间，抽真空到 1.3Pa，通入适量氧气，保持反应室压力在 1.3-13Pa，加高频功率，在电极间产生淡紫色辉光放电，通过调节功率、流量等工艺参数，可得不同去胶速率，当胶膜去净时，辉光消失。
微波等离子去胶机影响因素：
频率选择：频率越高，氧越易电离形成等离子体。频率太高，以至电子振幅比其平均自由程还短，则电子与气体分子碰撞几率反而减少，使电离率降低。一般常用频率为 13.56MHz及2.45GHZ 。
功率影响：对于一定量的气体，功率大，等离子体中的的活性粒子密度也大，去胶速度也快；但当功率增大到一定值，反应所能消耗的活性离子达到饱和，功率再大，去胶速度则无明显增加。由于功率大，基片温度高，所以应根据工艺需要调节功率。
真空度的选择：适当提高真空度，可使电子运动的平均自由程变大，因而从电场获得的能量就大，有利电离。另外当氧气流量一定时，真空度越高，则氧的相对比例就大，产生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高，活性粒子浓度反而会减小。
氧气流量的影响：氧气流量大，活性粒子密度大，去胶速率加快；但流量太大，则离子的复合几率增大，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而下降。微波等离子去胶机若反应室压力不变，流量增大，则被抽出的气体量也增加，其中尚没参加反应的活性粒子抽出量也随之增加， 因此流量增加对去胶速率的影响也就不甚明显。
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