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微波等离子去胶机会受什么因素影响

发布时间: 2019-06-19  点击次数: 1142次
   微波等离子去胶机的去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后,都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净*、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。微波等离子去胶机工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。占地面积小,安装维护简单。依靠微波等离子体技术,该设备在提供*的光刻胶灰化速度的同时,较大程度较低了产品暴露在静电中风险。
  微波等离子去胶机的真空腔采用石英管结构,适于对基片进行去胶、清洗等工艺。该设备具有去胶工艺简单、可靠、*、速率快、成品率高、处理后无酸气废水等残留等特点。微波等离子去胶机采用国内优射频源,其电磁兼容性能优良、高频辐射小,符合国家环保规定。本机外形美观大方,操作简便。
  微波等离子去胶机产品用途:
  1.高剂量离子注入光刻胶的去除
  2.湿法或干法刻蚀前后的去残胶
  3.MEMS中牺牲层的去除
  4.去除化学残余物
  5.清除浮渣工艺
  微波等离子去胶机操作方法:
  将待去胶片插入石英舟并平行气流方向,推入真空室两电极间,抽真空到 1.3Pa,通入适量氧气,保持反应室压力在 1.3-13Pa,加高频功率,在电极间产生淡紫色辉光放电,通过调节功率、流量等工艺参数,可得不同去胶速率,当胶膜去净时,辉光消失。
  微波等离子去胶机影响因素:
  频率选择:频率越高,氧越易电离形成等离子体。频率太高,以至电子振幅比其平均自由程还短,则电子与气体分子碰撞几率反而减少,使电离率降低。一般常用频率为 13.56MHz及2.45GHZ 。
  功率影响:对于一定量的气体,功率大,等离子体中的的活性粒子密度也大,去胶速度也快;但当功率增大到一定值,反应所能消耗的活性离子达到饱和,功率再大,去胶速度则无明显增加。由于功率大,基片温度高,所以应根据工艺需要调节功率。
  真空度的选择:适当提高真空度,可使电子运动的平均自由程变大,因而从电场获得的能量就大,有利电离。另外当氧气流量一定时,真空度越高,则氧的相对比例就大,产生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高,活性粒子浓度反而会减小。
  氧气流量的影响:氧气流量大,活性粒子密度大,去胶速率加快;但流量太大,则离子的复合几率增大,电子运动的平均自由程缩短,电离强度反而下降。微波等离子去胶机若反应室压力不变,流量增大,则被抽出的气体量也增加,其中尚没参加反应的活性粒子抽出量也随之增加, 因此流量增加对去胶速率的影响也就不甚明显。
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