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湿法刻蚀系统的工艺步骤包含了什么?

2018-12-22

  湿法刻蚀系统提供了可控的化学试剂滴胶能力,这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统,可以较大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力,提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。湿法刻蚀系统提供高可重复性、高均匀性及先进的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离,以及湿法刻蚀系统。该系统为全自动机械手上下载片,可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。
  湿法刻蚀系统是一种常用的化学清洗方法,主要目的是为了将掩膜图形正确复制到涂胶硅片上,进而达到保护硅片特殊区域的目的。从半导体制造行业开始初期,硅片制造和湿法刻蚀系统就紧密联系到了一起。当前湿法刻蚀系统主要用于残留物去除、漂去氧化硅、大尺寸图形刻蚀等方面,具有设备简单、材料选择比高,对器件损伤小等优点。
  湿法刻蚀系统具有温度低、效率高、成本低等优点,在湿刻过程中,硅片的磷硅玻璃和金属离子被有效去除,并能一次性完成钝化和清洗去除杂质,从而提高了硅片的使用效率。
  湿法刻蚀系统是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。大多数湿法刻蚀系统是不容易控制的各向同性刻蚀。
  特点:适应性强,表面均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。
  缺点:图形刻蚀保真想过不理想,刻蚀图形的至小线难以掌控。
  湿法刻蚀系统是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。简单来说,就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念,它是一种纯化学刻蚀,具有优良的选择性,刻蚀完当前薄膜就会停止,而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀系统都具有各向同性,所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀,横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来,上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差,也就无法高质量地完成图形转移和复制的工作,因此随着特征尺寸的减小,在图形转移过程中基本不再使用。

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