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微波等离子去胶机的去胶工艺

2017-11-03

   微波等离子去胶机是石英腔的微波等离子系统,可以安装到超净间墙上。该系列的微波等离子系统可以用于批处理,也可以作为单片处理,系统为计算机全自动控制的系统。典型工艺包含:大剂量离子注入后的光刻胶去除;干法刻蚀工艺的前处理或后处理;MEMS制造中的牺牲层去除。微波等离子去胶机采用氟基气体的去胶工艺,利用氟基气体与SU-8胶的化学反应,实现快速去除SU-8功能。同时设备中还集成了温控系统,去胶过程中对衬底温度的控制保证了高深宽比金属结构的完整性,zui终实现高质量MEMS器件的制备。

  微波等离子去胶机适用工艺:
  1.打线垫清洗、减少金属氧化物、清洗 Pd-Ag 裸芯片垫;
  2.去除光刻胶、塑料表面上胶处理、去除油渍或是环氧残留物;
  3.清洗陶瓷基片、清洗玻璃部件、清洗光学部件、清洗半导体表面、清洗镀银部件;
  微波等离子去胶机主要用途:
  ·等离子体表面改性
  ·有机物表面等离子去胶
  ·邦定强度增强
  ·等离子体刻蚀应用
  ·等离子体灰化应用
  ·增强或减弱浸润性
  ·其它等离子体系统应用
  微波等离子去胶机的去胶工艺是微加工实验中一个非常重要的过程。在电子束曝光、紫外曝光等微纳米加工工艺之后,都需要对光刻胶进行去除或打底膜处理。光刻胶去除的是否干净彻底、对样片是否有损伤等问题将直接影响到后续工艺的顺利完成。

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