微波等离子去胶机遇到以下几种情形我们需要注意

　　去胶工艺是微加工工艺过程中一个非常重要的工艺环节。在光刻工艺之后，我们往往需要面临显影后的底胶去除或者干法蚀刻工艺后变性的光刻胶的去除工作，这些环节中光刻胶去除的是否干净*以及对样片是否有损伤等将直接影响到后续工艺的进行以及器件的性能。

　　微波等离子去胶机是适用于硅基半导体及化合物半导体前后道的等离子体去胶设备，可用于光刻胶灰化/残胶去除和表面处理，该系列有两种配置分别兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圆。Virgo系列设计紧凑占地面积小，设备稳定可靠、易于维护、产能高。利用氧气在微波发生器的作用下产生氧等离子体，具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应，是的有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，从而达到去除光刻胶的目的，这个过程我们有时候也称之为灰化或者扫胶。氧等离子去胶相比于湿法去胶工艺更为简单、适应性更好，去胶过程纯干法工艺，无液体或者有机溶剂参与。

　　微波等离子去胶机遇到以下几种情形我们需要注意：

　　① 部分稳定性高的光刻胶如SU-8、PI（聚酰亚胺），往往胶厚也比较大，纯氧等离子体去胶速率也比较有限，为了保证快速去胶，往往还会在工艺气体中增加氟基气体增加去胶速率，因此不只是氧气是反应气体，有时候我们也需要其他气体参与；

　　② 涂胶后形成类非晶态二氧化硅的HSQ光刻胶。由于其构成并不是单纯的碳氢氧，所以是无法使用氧等离子去胶机来实现去胶；

　　③ 当我们的样品中有其他需要保留的结构层本身就是有机聚合物构成的，在等离子去胶的过程中，这些需要保留的层也可能会在氧等离子下发生损伤；

　　④ 样品是由容易氧化的材料或者有易氧化的结构层，氧等离子去胶过程，这些材料也会被氧化，如金属AG、C、CR、Fe以及Al，非金属的石墨烯等二维材料。