微波等离子去胶机使用注意事项

　　静态滴胶就是简单地把光刻胶滴注到静止的基片表面的中心，滴胶量为1-10ml不等。滴胶的多少应根据光刻胶的粘度和基片的大小来确定。粘度比较高和/或基片比较大，往往需要滴较多的胶，以保证在高速旋转阶段整个基片上都涂到胶。动态滴胶方式是在基片低速（通常在500转/分左右）旋转的同时进行滴胶，“动态”的作用是让光刻胶容易在基片上铺展开，减少光刻胶的浪费，采用动态滴胶不需要很多光刻胶就能润湿（铺展覆盖）整个基片表面。尤其是当光刻胶或基片本身润湿性不好的情况下，动态滴胶尤其适用，不会产生针孔。

　　微波等离子去胶机使用注意事项：

　　1.使用前气路检查；使用前主要检查设备与真空泵和氮气瓶的接口是否漏气；

　　2.遵守启动顺序；实验时，依次打开设备电源开关，氮气/干燥气体瓶阀门，真空开关，结束时，先关真空，再关氮气/干燥气体瓶阀门；

　　3.氮气/干燥气体的压力控制不宜过大；建议氮气瓶气压从0.35MPa起缓慢上调，直至设备控制面板上的CDA停止闪烁即停止调整；

　　4.严防超载；严禁放置超出设备限定范围的过大过重材料，否则将会损坏设备的旋控精度；

　　6.绿色环保实验；对于废液废气的排放和处置，请遵守试剂使用的相关环保说明；

　　7.保持设备清洁；实验结束后，请拭去设备内腔残留物，并清空废液接收罐，使用原片遮住Chuck，将设备用塑料封套盖好以避污染；

　　8.真空泵不宜长时间无负载运行；实验期间设备闲置时，为了保护好泵的工作性能，请关闭真室泵，建议泵的连续作业不超过1小时。

　　微波等离子去胶机的工艺特点要求硅片在托盘真空吸力的作用下随主轴一起高速旋转，因此匀胶托盘的几何参数将对被吸附的硅片形变产生一定的影响，而过大的硅片形变将影响其表面形貌和平面度，从而影响光刻胶的均匀性。通过数值解和解析解，指出随着匀胶膜厚的变薄，其受表面形貌的影响将增大；通过数学模型和计算机模拟分析了离心转数等参数对旋涂性能的影响规律，并通过实验分析指出基底不平将直接导致涂胶均匀性变差，从而使集成电路芯片显影后线条黑白比改变。