微波等离子去胶机是在(RIE)反应离子刻蚀机的基础上简化改进而来，为小型等离子去胶机，具有体积小，性能优良、用途多、工艺速率高、均匀性及重复性好、价格低、使用方便等特点。是各电子器件企业及科研单位、大专院校的机型。适合于微电子制作工艺中光刻胶的去胶工艺，同时有RIE刻蚀功能，可以刻蚀Si、SiO2、SiN。
微波等离子去胶机可用于2到6英寸半导体圆片的单片式打胶，通过产生低压、低温的等离子体辉光放电，与圆片表面进行快速化学反应与物理冲击，完成去胶。至上而下的等离子体去胶模式，避免了圆片受到高能离子的损伤。现有技术中的等离子去胶机在对圆片进行去胶的使用过程中，一方面加热不均匀会导致去胶效果差，另一方面由于电离过程中产生大量高能活性粒子会造成对圆片表面进行损伤，进而降低了等离子去胶机的实用性。
微波等离子去胶机的基本结构。机箱的内部由下至上依次设置有射频电源、加热板、放置组件和电离组件；机箱的左侧壁上设有用于对机箱内部进行抽真空的抽真空组件，机箱的右侧壁设有用于对机箱内产生的热气流进行循环的过滤循环组件，机箱的顶部设有用于向电离组件内部供气的供气组件；电离组件包括石英腔、射频正极、负极、绝缘柱、绝缘环和石英盘，机箱的内腔上部嵌设有石英腔，石英腔的内腔上部间隔嵌设有两组绝缘环，上侧绝缘环的内壁周向均匀设有射频正极，下侧绝缘环的内壁周向均匀设有负极，且射频正极和负极的内侧端均嵌设有绝缘柱，石英腔的内腔下部间隔设有两组石英盘，且上下两侧石英盘上开设的通孔呈交错结构设置。机箱的底部四角对称设有减震组件，且减震组件为防滑橡胶减震盘。
