微波等离子去胶机是在(RIE)反应离子刻蚀机的基础上简化改进而来,为小型等离子去胶机,具有体积小,性能优良、用途多、工艺速率高、均匀性及重复性好、价格低、使用方便等特点。是各电子器件企业及科研单位、大专院校的机型。适合于微电子制作工艺中光刻胶的去胶工艺,同时有RIE刻蚀功能,可以刻蚀Si、SiO2、SiN。
微波等离子去胶机在清洗中,影响清洗效率的参数主要有以下几个方面:
(1)放电气压:对于低压等离子体,放电气压增加,等离子体密度越高,电子温度随之降低。而等离子体的清洗效果取决于其密度和电子温度两个方面,如密度越高清洗速率越快、电子温度越高清洗效果越好。因此,放电气压的选择对低压等离子体清洗工艺至关重要。
(2)气体种类:待处理物件的基材及其表面污染物具有多样性,而不同气体放电所产生的等离子体清洗速度和清洗效果又相差甚远。因此应该有针对性地选择等离子体的工作气体,如可选用氧气等离子体去除物体表面的的油脂污垢,选用氢氩混合气体等离子体去除氧化层。
(3)放电功率:放电功率增大,可以增加等离子体的密度和活性粒子能量,因而提高清洗效果。例如,氧气等离子体的密度受放电功率的影响较大。
(4)暴露时间:待清洗材料在等离子体中的暴露时间对其表面清洗效果及等离子体工作效率有很大影响。暴露时间越长清洗效果相对越好,但工作效率降低。并且,过长时间的清洗可能会对材料表面产生损伤。
(5)传动速度:对于常压等离子体清洗工艺,处理大物件时会涉及连续传动问题。因此待清洗物件与电极的相对移动速度越慢,处理效果越好,但速度过慢一方面影响工作效率,另一方面也可能造成处理时间过长产生材料表面损伤。