NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12“ 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6“ 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NSC-1000磁控溅射系统：带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。

NSC-3000（M）磁控溅射系统：带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。

NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统：台式自动系统，带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。