NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀
简要描述:NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。
产品型号:
所属分类:离子铣离子束刻蚀
更新时间:2017-03-03
厂商性质:生产厂家
详情介绍
IBE离子束刻蚀系统
NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀产品特点:
- 14.5"不锈钢立体离子束腔体
- 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
- 离子束中和器
- 氩气MFC
- 6"水冷样品台
- 晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机
- 步进电机控制晶圆片倾斜
- 手动上下载晶圆片
- 典型刻蚀速率:铜200 Å/min, 硅:500 Å/min
- 6"范围内,刻蚀均匀度+/-3%
- 极限真空5x10-7Torr,20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)
- 配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr
- 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
- 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
- 菜单驱动,4级密码访问保护
- 完整的安全联锁
Features:
- 14.5" SS Cube ion beam chamber
- 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
- Ion Beam neutralizer
- Ar MFC
- Chilled water cooled 6" substrate platen
- Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
- Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
- Manual wafer load/unload
- Typical Etch Rates: 200 Å/min Cu, 500 Å/min Si
- +/-3% etch uniformity over 6“ area
- 5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
- 8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
- Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation
- PC Controlled with LabVIEW Software
- Recipe Driven, Password Protected
- Fully Safety Interlocked