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NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀的详细资料

IBE离子束刻蚀系统

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。

NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。

NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品特点:

  • 14.5"不锈钢立体离子束腔体
  • 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
  • 离子束中和器
  • 氩气MFC
  • 6"水冷样品台
  • 晶片旋转速度310RPM,真空步进电机
  • 步进电机控制晶圆片倾斜
  • 自动上下载晶圆片
  • 典型刻蚀速率:铜200 Å/min, 硅:500 Å/min
  • 6"范围内,刻蚀均匀度+/-3%
  • 极限真空5x10-7Torr20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)
  • 配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr
  • 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
  • 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
  • 菜单驱动,4级密码访问保护
  • 完整的安全联锁

 Features:

  • 14.5" SS Cube ion beam chamber
  • 16 cm DC Ion gun 1000V, 500 mA ,DC motor driven SS shutters
  • Ion Beam neutralizer
  • Ar MFC
  • Chilled water cooled 6" substrate platen
  • Wafer rotation 3-10 RPM, Vacuum stepper motor
  • Wafer Tilt with a stepper motor through differentially pumped rotational seal
  • Manual wafer load/unload
  • Typical Etch Rates: 200 Å/min Cu, 500 Å/min Si
  • +/-3% etch uniformity over 6“ area
  • 5x 10-6 Torr < 20 minutes <2 x10-7 Torr (2 days) Base Pressure with 500 l/sec turbo
  • 8x10-8 Torr Base pressure with 1000 l/sec Turbo pump
  • Magnetron Sputtering of Si3N4 to protect etched metal surfaces from oxidation
  • PC Controlled with LabVIEW Software
  • Recipe Driven, Password Protected
  • Fully Safety Interlocked

 

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