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等离子刻蚀ICP

简要描述:等离子刻蚀ICP基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触,从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而隔绝外部湿气,防止反应室内可能发生的腐蚀。

产品型号: Minilock-Phantom III ICP

所属分类:等离子刻蚀ICP

更新时间:2024-06-17

厂商性质:生产厂家

详情介绍


系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。

该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源,其使得用户可以创建高密度等离子,从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。
基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触,从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下,从而隔绝外部湿气,防止反应室内可能发生的腐蚀。

 

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