微波等离子去胶机是一个典型的匀胶过程,其中包括滴胶,高速旋转以及干燥(溶剂挥发)几个步骤。滴胶这一步把光刻胶滴注到基片表面上,高速旋转把光刻胶铺展到基片上形成簿层,干燥这一步除去胶层中多余的溶剂。两种常用的滴胶方式是静态滴胶和动态滴胶。
静态滴胶就是简单地把光刻胶滴注到静止的基片表面的中心,滴胶量为1-10ml不等。滴胶的多少应根据光刻胶的粘度和基片的大小来确定。粘度比较高和/或基片比较大,往往需要滴较多的胶,以保证在高速旋转阶段整个基片上都涂到胶。动态滴胶方式是在基片低速(通常在500转/分左右)旋转的同时进行滴胶,“动态”的作用是让光刻胶容易在基片上铺展开,减少光刻胶的浪费,采用动态滴胶不需要很多光刻胶就能润湿(铺展覆盖)整个基片表面。尤其是当光刻胶或基片本身润湿性不好的情况下,动态滴胶尤其适用,不会产生针孔。
滴胶之后,下一步是高速旋转。使光刻胶层变薄达到要求的膜厚,这个阶段的转速一般在1500-6000转/分,转速的选定同样要看光刻胶的性能(包括粘度,溶剂挥发速度,固体含量以及表面张力等)以及基片的大小。快速旋转的时间可以从10秒到几分钟。匀胶的转速以及匀胶时间往往能决定胶膜的厚度。
一般来说,匀胶转速快,时间长,膜厚就薄。影响匀胶过程的可变因素很多,这些因素在匀胶时往往相互抵销并趋于平衡。所以需要给予匀胶过程以足够的时间,让诸多影响因素达到平衡。
微波等离子去胶机在匀胶过程中基片的加速度也会对胶膜的性能产生影响。因为在基片旋转的阶段开始,光刻胶就开始干燥(溶剂挥发)了。所以准确控制加速度很重要。在一些匀胶过程中,光刻胶中50%的溶剂就在匀胶过程开始的几秒钟内挥发掉了。在已经光刻有图形的基片上匀胶,加速度对胶膜质量同样起重要作用。在许多情况下,基片上已经由前面工序留下来的精细图形。因此,在这样的基片上穿越这些图形均匀涂胶是重要的。